一种免散漫的雪崩光电二极管及其制备措施(对于一种免散漫的雪崩光电二极管及其制备措施简述)
发布时间：2024-05-18 12:01:23 作者：玩站小弟 
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一、极管及其简述 《一种免散漫的措施雪崩光电二极管及其制备措施》是武汉电信器件有限公司于2013年2月5日恳求的专利，该专利的种免制备宣告号为CN103094398A，宣告日为2013年5月8日，散漫施对缔造人是雪电极岳爱文、胡艳、崩光备措李晶、王任凡。该缔造属于芯片制作技术规模。
二、 《一种免散漫的雪崩光电二极管及其制备措施》所述雪崩光电二极管搜罗衬底，所述衬底概况上挨次妨碍有缓冲层、散漫拦阻层、雪崩倍增层、电场操作层、突变层、光罗致层、侵蚀停止层、窗口层以及打仗层，所述的窗口层位于侵蚀停止层的中间位置，所述侵蚀停止层于窗口层的周围以及打仗层的上方均拆穿困绕有介质绝缘层，所述介质绝缘层上具备环形沟道。该缔造抉择性侵蚀侵蚀出圆形的窗口层，窗口层之外的部份拆穿困绕有介质绝缘层，窗口层的巨细可能直接界说雪崩光电二极管的光敏感地域，使雪崩光电二极管适用于差距速率情景下使命；另外在光罗致层挨近窗口层边缘一侧，尽管存在略强的电场，但不会在雪崩倍增层泛起边缘击穿天气。
三、 2017年12月11日，《一种免散漫的雪崩光电二极管及其制备措施》取患上第十九届中国专利优异奖。
四、 （概述图为《一种免散漫的雪崩光电二极管及其制备措施》摘要附图）
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